منابع مشابه
واکاوی روایات سبب نزول آیات 113 و 114 سوره توبه
شناخت اسباب نزول آیات قرآن تأثیر اساسی در فهم آن دارد. اما گاهی ذیل یک آیه چندین سبب ذکر می‌شود و محقق نمی‌داند به کدام یک باید اعتماد کرد. افزون بر آن، راه یافتن روایات ساختگی به روایات سبب نزول و ورود آن به ورطه نقل به معنا موجب شده است تا روایات، افزون بر آنکه استنباط فردی راوی باشد، نه گزارش یک شاهد بی‌طرف عینی، به دروغ و تحریف نیز مبتلا شود. از جمله آیاتی که مفسران برای آن اسباب متعدد ذکر ...
متن کاملCalculation of Adsorption Energies of Elements 112 and 114, and their Homologues Mercury and Lead on Gold (111) Surface
In the last decade the gas-phase thermography becomes the method of choice for studying the chemical behavior of super-heavy elements in nuclear-chemistry. In such experiments, however, the whole information about the adsorption process of a chemical element is reduced to a single number – the adsorption temperature. The adsorption on the other hand is a very complex process, which requires an ...
متن کاملواکاوی روایات سبب نزول آیات 113 و 114 سوره توبه
شناخت اسباب نزول آیات قرآن تأثیر اساسی در فهم آن دارد. اما گاهی ذیل یک آیه چندین سبب ذکر می شود و محقق نمی داند به کدام یک باید اعتماد کرد. افزون بر آن، راه یافتن روایات ساختگی به روایات سبب نزول و ورود آن به ورطه نقل به معنا موجب شده است تا روایات، افزون بر آنکه استنباط فردی راوی باشد، نه گزارش یک شاهد بی طرف عینی، به دروغ و تحریف نیز مبتلا شود. از جمله آیاتی که مفسران برای آن اسباب متعدد ذکر ...
متن کاملIn vitro activities of novel oxapenems, alone and in combination with ceftazidime, against gram-positive and gram-negative organisms.
Four novel oxapenem compounds (i.e., AM-112, AM-113, AM-114, and AM-115) were investigated for their beta-lactamase inhibitory activity against a panel of isolated class A, C, and D enzymes, which included expanded-spectrum beta-lactamase enzymes (ESBLs). The oxapenems were potent beta-lactamase inhibitors. Activity varied within the group, with AM-113 and AM-114 proving to be the most active c...
متن کاملLow defect large area semi-polar (112) GaN grown on patterned (113) silicon
We report on the growth of semi-polar GaN (112̄2) templates on patterned Si (113) substrates. Trenches were etched in Si (113) using KOH to expose Si {111} sidewalls. Subsequently an AlN layer to prevent meltback etching, an AlGaN layer for stress management, and finally two GaN layers were deposited. Total thicknesses up to 5 m were realised without cracks in the layer. Transmission electron mi...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Revista Mexicana de Ciencias Políticas y Sociales
سال: 1995
ISSN: 2448-492X,0185-1918
DOI: 10.22201/fcpys.2448492xe.1995.160.49765